臺媒《電子時報》（DIGITIMES）今日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。
臺積電目前正式公布的最先進制程為 A16，該工藝將支持背面供電網絡（BSPDN），定于 2026 下半年量產。從目前消息來看，在 A16 上臺積電仍將采用傳統的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻機。
臺媒在報道中表示，臺積電在 A16 后的下一代工藝 A14 預計于 2026 上半年進入風險試產階段，最快 2027 年三季度量產，該節(jié)點的主力光刻設備仍將是 ASML 的 NXE:3800ELow NA EUV 機臺。
而在 A14 改進版 A14P 中，臺積電有望正式啟用 High NA EUV 光刻技術，該節(jié)點在時間上大致落在 2028 年。
臺積電將在 2030 年后進入 A10 等更先進世代，屆時會全面導入 High NA EUV 技術，進一步改進制程技術的成本與效能。
報道還提到，臺積電已完成量產用 ASML High NA EUV 光刻機的首階段采購。
而在研發(fā)用機臺方面，ASML 此前已經披露，將在 2024 年內交付臺積電的首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8 億美元（IT之家備注：當前約 27.62 億元人民幣）。
臺積電的先進代工競爭對手中，英特爾明確將在 Intel A14 節(jié)點使用 High NA 光刻；三星電子雖早已向 ASML 下單 High NA EUV 光刻機但未明確何時啟用；Rapidus 的 High NA 節(jié)點至少也要等到 2nm 后。
