近日，據(jù)CNMO了解，日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國康奈爾大學(xué)的研究團隊開發(fā)出了用于“6G”的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。據(jù)悉，該技術(shù)能夠去除成膜過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)，使晶體管材料的導(dǎo)電性提高至約4倍。相關(guān)媒體報道稱，該技術(shù)計劃應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。
據(jù)相關(guān)媒體報道稱，目前想要實現(xiàn)超高速通信，需要導(dǎo)電性強的晶體管。該硬性需求使得，在基板上分別層疊電子生成層和電子轉(zhuǎn)移層的高電子遷移率晶體管被人們所關(guān)注。據(jù)目前的技術(shù)，電子生成層大多使用的氮化鋁鎵，其中，導(dǎo)電性強的氮化鋁（AlN）的含有率為20～30%，而新技術(shù)將提高氮化鋁的比率。
據(jù)相關(guān)媒體報道稱，上述研究團隊開發(fā)出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術(shù)。此前的技術(shù)在成膜過程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產(chǎn)生的氧雜質(zhì)改變氮化鋁的結(jié)晶，難以獲得高導(dǎo)電性。而新技術(shù)則可以通過形成非常薄的鋁膜，以此來還原表面的氧化膜，并使其揮發(fā)，解決了這一難題。最終將導(dǎo)電性提高到原來的3-4倍。
該技術(shù)的特點是不需要使用價格更高的氮化鋁基板，轉(zhuǎn)而可以在直徑約5厘米的較大藍(lán)寶石基板上實現(xiàn)這一構(gòu)造。據(jù)悉，研究團隊計劃改用更實用的方法，將在一年內(nèi)試制出高電子遷移率晶體管。
