在閃存市場上，三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光、Intel等美日韓公司占據(jù)全球主導(dǎo)，國內(nèi)的長江存儲在2019年首次量產(chǎn)64層3D閃存，現(xiàn)在128層TLC閃存也量產(chǎn)了，這與三星等國際巨頭的差距縮小到了2年。
長江存儲是國內(nèi)最主要的閃存研發(fā)制造公司，進(jìn)入這個(gè)行業(yè)的時(shí)間不長，2014年才開始研發(fā)3D閃存，2016年設(shè)計(jì)出了32層3D閃存，2018年首次流片64層閃存，2019年3季度才正式量產(chǎn)。
但是長江存儲追趕的速度很快，32層及之前的閃存都是小規(guī)模試驗(yàn)，64層TLC才開始規(guī)模量產(chǎn)，并自主研發(fā)了全新的Xtacking堆棧架構(gòu)，同時(shí)還跳過了96層閃存，直接進(jìn)入到128層閃存，去年4月份正式發(fā)布。
長江存儲表示，128層QLC 3D閃存（X2-6070）是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
值得一提的是，此次同步登場的還有128層TLC閃存（X2-9060），單顆容量512Gb(64GB)。
性能方面，長存透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能，3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。
據(jù)悉，兩款產(chǎn)品均采用長存自研Xtacking 2.0架構(gòu)，外圍電路和存儲單元可堆疊，帶來極佳的擴(kuò)展性。
原本128層閃存在去年底應(yīng)該就量產(chǎn)了，不過因?yàn)橐咔榈仍�，最近才有廠商開始宣傳128層閃存的SSD，意味著長江存儲終于開始量產(chǎn)128層閃存了。
與國際水平相比，三星、SK海力士都是在2019年中才量產(chǎn)128層閃存的，這意味著長江存儲與國際水平的差距已經(jīng)縮短到了2年，進(jìn)度值得稱贊。
當(dāng)然，三星、SK海力士及西數(shù)、美光等公司今年已經(jīng)開始量產(chǎn)176層到192層的閃存了，國產(chǎn)差距還是有的，但是追趕的進(jìn)度很快。
接下來長江存儲面臨的考驗(yàn)還是大規(guī)模量產(chǎn)，確保產(chǎn)能及良率穩(wěn)步爬升，也會有越來越多的SSD用上國產(chǎn)閃存。
