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國產(chǎn)128層TLC閃存已量產(chǎn) 與三星技術(shù)差距縮短到兩年

2021年8月3日 15:11  快科技  作 者:憲瑞

在閃存市場上,三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光、Intel等美日韓公司占據(jù)全球主導(dǎo),國內(nèi)的長江存儲在2019年首次量產(chǎn)64層3D閃存,現(xiàn)在128層TLC閃存也量產(chǎn)了,這與三星等國際巨頭的差距縮小到了2年。

長江存儲是國內(nèi)最主要的閃存研發(fā)制造公司,進(jìn)入這個(gè)行業(yè)的時(shí)間不長,2014年才開始研發(fā)3D閃存,2016年設(shè)計(jì)出了32層3D閃存,2018年首次流片64層閃存,2019年3季度才正式量產(chǎn)。

但是長江存儲追趕的速度很快,32層及之前的閃存都是小規(guī)模試驗(yàn),64層TLC才開始規(guī)模量產(chǎn),并自主研發(fā)了全新的Xtacking堆棧架構(gòu),同時(shí)還跳過了96層閃存,直接進(jìn)入到128層閃存,去年4月份正式發(fā)布。

長江存儲表示,128層QLC 3D閃存(X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

值得一提的是,此次同步登場的還有128層TLC閃存(X2-9060),單顆容量512Gb(64GB)。

性能方面,長存透露,兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能,3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。

據(jù)悉,兩款產(chǎn)品均采用長存自研Xtacking 2.0架構(gòu),外圍電路和存儲單元可堆疊,帶來極佳的擴(kuò)展性。

原本128層閃存在去年底應(yīng)該就量產(chǎn)了,不過因?yàn)橐咔榈仍,最近才有廠商開始宣傳128層閃存的SSD,意味著長江存儲終于開始量產(chǎn)128層閃存了。

與國際水平相比,三星、SK海力士都是在2019年中才量產(chǎn)128層閃存的,這意味著長江存儲與國際水平的差距已經(jīng)縮短到了2年,進(jìn)度值得稱贊。

當(dāng)然,三星、SK海力士及西數(shù)、美光等公司今年已經(jīng)開始量產(chǎn)176層到192層的閃存了,國產(chǎn)差距還是有的,但是追趕的進(jìn)度很快。

接下來長江存儲面臨的考驗(yàn)還是大規(guī)模量產(chǎn),確保產(chǎn)能及良率穩(wěn)步爬升,也會有越來越多的SSD用上國產(chǎn)閃存。

編 輯:章芳
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