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半導體線寬測量首個ISO國際標準出爐,中國科大主導制定

2020年3月6日 14:46  集微網(wǎng)  作 者:圖圖

近日,國際標準化組織(ISO)正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項國際標準“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”。

據(jù)悉,該標準是半導體線寬測量方面的首個國際標準,也是半導體檢測領(lǐng)域由中國主導制定的首個國際標準。由中國科學技術(shù)大學物理學院和微尺度物質(zhì)科學國家研究中心的丁澤軍團隊主導制定。

芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸,其中最小的特征尺寸稱為關(guān)鍵尺寸(CD),其大小代表了半導體制造工藝的復雜性水平。對CD測量也可稱為納米尺度線寬測量,目前半導體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下,其測量的精準性直接決定著器件的性能。

測長掃描電鏡(CD-SEM)是半導體工業(yè)生產(chǎn)中進行實時監(jiān)控與線寬測量的最為簡便和高效的方法。然而,由于掃描電鏡的二次電子信號發(fā)射在線寬邊沿處的加強效應,納米級線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準算法。

據(jù)中國科大官方消息,與傳統(tǒng)的經(jīng)驗閾值方法相比,丁澤軍團隊的測量方法能夠給出準確的CD值,并且把線寬測量從單一參數(shù)擴展到包含結(jié)構(gòu)形貌特征的信息,適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案,這不僅為半導體刻蝕線寬的CD-SEM準確評測確定了行業(yè)標準,也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。

編 輯:章芳
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