5 月 14 日消息，HBM 負責人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中聲稱當前業(yè)界 HBM 技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使 SK 海力士將加速開發(fā)過程，最早在 2026 年推出他們的 HBM4E 內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是 HBM4 的 1.4 倍。
除了 HBM4E 外，據(jù)IT之家此前報道，有消息稱 SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
HBM4 / HBM4E 的開發(fā)“加速過程”無疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對高性能內(nèi)存的強勁需求，日益強大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
