日本東京大學(xué)研究團(tuán)隊研制出一種半導(dǎo)體納米通道器件，給這種器件施加磁場能使其電阻值發(fā)生高達(dá)250倍的變化。這種現(xiàn)象未來有望用于開發(fā)新型非易失性存儲器等。
根據(jù)日本東京大學(xué)公報，該校研究人員領(lǐng)銜的團(tuán)隊研制出一種通道長20納米的鍺半導(dǎo)體納米通道器件，它屬于半導(dǎo)體兩端器件，擁有鐵和氧化鎂雙層結(jié)構(gòu)的電極，還添加了硼元素。研究人員觀察到，通過給這種器件施加磁場能使其表現(xiàn)出電阻開關(guān)效應(yīng)，外加磁場還使其實現(xiàn)了高達(dá)250倍的電阻變化率。研究人員給這種現(xiàn)象取名為“巨磁阻開關(guān)效應(yīng)”。
不過，目前僅能在20開爾文（約零下253攝氏度）的低溫環(huán)境下觀測到這種“巨磁阻開關(guān)效應(yīng)”。研究團(tuán)隊下一步將致力于提高“巨磁阻開關(guān)效應(yīng)”出現(xiàn)的溫度，以便將其用于開發(fā)新型電子元器件等。基于電阻開關(guān)效應(yīng)的電阻式隨機(jī)存取存儲器被視為最有競爭力的下一代非易失性存儲器之一。
傳統(tǒng)的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器是利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù)，其一大缺點是數(shù)據(jù)的易失性，電源意外切斷時會丟失存儲數(shù)據(jù)。而電阻式隨機(jī)存取存儲器是通過向器件施加脈沖電壓產(chǎn)生電阻高低變化，以此表示二進(jìn)制中的“0”和“1”，其存儲數(shù)據(jù)不會因意外斷電而丟失，是一種處于開發(fā)階段的下一代內(nèi)存技術(shù)。
論文第一作者、東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科教授大矢忍指出，新成果將來有望在電子領(lǐng)域得到應(yīng)用，特別是用于神經(jīng)形態(tài)計算以及開發(fā)下一代存儲器、超高靈敏度傳感器等新型器件。
