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2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)一觸即發(fā):三星、臺積電等積極布局2nm工藝制造

2024年2月7日 09:57  中關(guān)村在線  

2nm工藝被認(rèn)為是在半導(dǎo)體行業(yè)取得關(guān)鍵突破的關(guān)鍵技術(shù),其優(yōu)勢在于能夠?qū)崿F(xiàn)更高的性能和更低的功耗。三星電子已經(jīng)計(jì)劃于明年啟動2nm制程技術(shù)的生產(chǎn),并預(yù)計(jì)在2047年前投資500萬億韓元,在韓國興建一座超大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地專注于2nm制程技術(shù)的制造。根據(jù)三星此前發(fā)布的技術(shù)路線圖,預(yù)計(jì)2025年面世的2nm級SF2工藝可提升同等條件下25%的功耗效率、12%的性能以及5%的面積。

臺積電也在積極研發(fā)和推動2nm工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展,其首部機(jī)臺預(yù)計(jì)將于今年4月投入使用。據(jù)悉,蘋果將成為首家采用臺積電2nm工藝的客戶,目前正在與臺積電緊密合作開發(fā)和實(shí)施2nm芯片技術(shù)。這種技術(shù)在晶體管密度、性能和效率方面有望超越現(xiàn)有的3nm芯片。

臺積電的2nm芯片計(jì)劃采用N2平臺,并引入了GAAFET(全柵場效應(yīng)晶體管)納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù),這些創(chuàng)新使得它們以更小的晶體管尺寸和更低的工作電壓實(shí)現(xiàn)更快的速度。據(jù)供應(yīng)鏈媒體透露,臺積電研發(fā)的2nm制程技術(shù)在保持相同功耗條件下能比3nm工藝實(shí)現(xiàn)10%至15%的速率提升;而在相同速率下,功耗可降低25%至30%。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于激烈的競爭時(shí)代,當(dāng)前臺積電、三星、英特爾等領(lǐng)先制程代工廠的技術(shù)研發(fā)不斷取得突破。2nm級制程技術(shù)已經(jīng)逐漸成為競爭激烈的半導(dǎo)體代工市場焦點(diǎn)。相較于目前使用的4nm工藝芯片,更高制程工藝無疑能夠?yàn)槭謾C(jī)用戶帶來更長的續(xù)航時(shí)間、更好的性能和發(fā)熱控制,并且提供更多的功能。

編輯點(diǎn)評:如今,在全球范圍內(nèi),半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷一場激烈的競爭。目前,臺積電、三星、英特爾等領(lǐng)先的代工廠都在積極研發(fā)新技術(shù),以保持領(lǐng)先地位。而 2nm 制程技術(shù)已經(jīng)成為市場的熱點(diǎn)之一。這種技術(shù)可以帶來更高的性能和更低的功耗,在未來電子產(chǎn)品中將發(fā)揮重要作用。

總結(jié)來說,隨著科技的發(fā)展,我們期待著看到更多創(chuàng)新和進(jìn)步。雖然目前還面臨著一些挑戰(zhàn),但隨著各大廠商不斷努力推進(jìn)新技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用,我們相信未來的電子設(shè)備將會變得更加先進(jìn)和智能。

編 輯:馬秋月
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